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    x射線平板探測(cè)器的工作原理及優(yōu)缺點(diǎn)

    更新時(shí)間:2023-05-18      點(diǎn)擊次數(shù):673
       (1)碘化銫
      1一般原理:首先將X射線通過熒光介質(zhì)材料轉(zhuǎn)換為可見光,然后通過光敏元件將可見光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),最后通過A/D將模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。具體原理:曝光之前,陽離子被存儲(chǔ)在硅表面上以產(chǎn)生均勻的電荷,從而在硅表面上產(chǎn)生電子場(chǎng);
      2.曝光期間,在硅中產(chǎn)生電子-空穴對(duì),并向表面釋放自由電子,從而在硅表面產(chǎn)生了潛在的電荷像,并且每個(gè)點(diǎn)的電荷密度等于局部X射線強(qiáng)度。
      3.曝光后,X射線圖像存儲(chǔ)在每個(gè)像素中;
      4.半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器讀取每個(gè)元素并完成模數(shù)轉(zhuǎn)換。
      優(yōu)點(diǎn):
      1.轉(zhuǎn)換效率高;
      2.動(dòng)態(tài)范圍廣;
      3.高空間分辨率;
      4.在低分辨率區(qū)域具有較高的X射線吸收率(因?yàn)槠湓有驍?shù)高于非晶硒的原子序數(shù));
      5.環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)。
      缺點(diǎn):
      1.高劑量DQE不如無定形硒。
      2.由于熒光轉(zhuǎn)換層而引起的輕微散射效應(yīng);
      3.清晰度相對(duì)于非晶態(tài)硒略低。
      (2)非晶硒型
      一般原理:光電導(dǎo)半導(dǎo)體將接收到的X射線光子直接轉(zhuǎn)換為電荷,然后通過薄膜晶體管陣列將電信號(hào)讀出并數(shù)字化。
      具體原理:
      1.X射線入射光子激發(fā)非晶硒層中的電子-空穴對(duì);
      2.電子和空穴在外部電場(chǎng)的作用下以相反的方向移動(dòng)以產(chǎn)生電流。電流的大小與入射的X射線有關(guān)。光子數(shù)成正比;
      3.這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的電極間電容上,并且每個(gè)TFT和電容形成像素單元。
      優(yōu)點(diǎn):
      1.轉(zhuǎn)換效率高;
      2.動(dòng)態(tài)范圍廣;
      3.高空間分辨率;
      4.清晰度好;
      缺點(diǎn):
      1.X射線吸收率低,在低劑量條件下不能保證圖像質(zhì)量。增加X射線劑量不僅會(huì)增加疾病來源射線吸收了,對(duì)了X射線系統(tǒng)要求太高。
      2.硒層對(duì)溫度敏感,使用條件有限,環(huán)境適應(yīng)性差。
      (三)CCD型
      一般原理:增強(qiáng)屏幕用作X射線交互介質(zhì),并添加CCD以數(shù)字化X射線圖像。
      具體原理:以MOS電容器類型為例:在P型Si的表面形成一層SiO2,然后在其上蒸鍍一層多晶硅作為電極,并在P-上施加電壓。電極的Si型襯底,以在電極A的低勢(shì)能區(qū)或勢(shì)阱下形成它。勢(shì)阱的深度與電壓有關(guān)。電壓越高,勢(shì)阱越深。光生電子存儲(chǔ)在勢(shì)阱中。光生電子的數(shù)量與光的強(qiáng)度成正比。因此,存儲(chǔ)的電荷量也反映了該點(diǎn)的亮度。存儲(chǔ)在數(shù)百萬個(gè)感光單元中的電荷形成與該圖像相對(duì)應(yīng)的電荷圖像。
      優(yōu)點(diǎn):
      1.高空間分辨率;
      2.幾何變形小;
      3.均勻性好。
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